Home > Publications database > Über die Eignung von Anordnungen mit negativer differentieller Widerstandscharakteristik als schnelle elektronische Schalter im Nanosekunden-Bereich |
Book/Report | FZJ-2017-04156 |
1968
Kernforschungsanlage Jülich, Verlag
Jülich
Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/14691
Report No.: Juel-0549-ZE
Abstract: Die im Rahmen dieser Arbeit behandelten elektronischen Schalter können in ein Ubersichtliches Schema in der Form einer Matrix eingeordnet werden, wenn die Mechanismen der Leitfähigkeitsänderung sowie die verkoppelten Mechanismen, die den negativen differentiellen Widerstand des Schaltausganges verursachen, bekannt sind, siehe Tab. 2.1, S. 29. Darin ist jeweils der, gemessen an der praktischen Bedeutung und der Schaltgeschwindigkeit, wichtigste Typ aufgeführt. Die Übersicht ist aus einer umfassenden, systematischen Darstellung der Wirkungsweisen sowie aus qualitativen Erläuterungen der Einschaltmechanismen der Anordnungenund Bauelemente mit negativer, differentieller Widerstandscharakteristik hervorgegangen. Typische Daten der 4 elektronischen Schalter, die sicn aufgrund ihrer Einschaltzeit $^{+)}$ sowie ihre Stromimpulsbelastbarkeit für den HLFR-Generator eignen, sind in Tab. 2.3, S. 31, zusarrnnengestellt. Dabei ist zu beachten, daß die Angaben über den eingeschalteten Zustand des Thyristors und desThyratrons dem nichtstationären Leitzustand unmittelbar nach dem Einschalten im Zeitpunkt t = t$_{v}$ + 100 ns (tv = Verzögerungszeit) zugeordnet sind. Das induktive Verhalten des Lawinentransistors mit zweitem Durchbruch sowie der Tunneldiode ist weit weniger ausgeprägt bzw. nicht vorhanden. Der Einschaltzeitpunkt kann bei allen 4 Schaltern praktisch beliebig genau festgelegt werden. Alle untersuchten Parameter des Einschaltvorganges entnehme man dem Abschnitt 3. Besonders eingehend wurde die wichtigste Größe, die Einschaltzeit t$_{e}$ untersucht. Bezüglich der Tunneldiode wurden die Untersuchungsergebnisse von MAYER [81, 82] übernommen, da direkte Messungen an Tunneldioden wegen des teilweise extrem schnellen [...]
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